数据列表：IPD600N25N3 G

标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：OptiMOS??

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：25A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：60 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 90µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：29nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2350pF @ 100V

功率 - 最大值：136W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：PG-TO252-3

其它名称：IPD600N25N3 G-NDIPD600N25N3 GTRIPD600N25N3GIPD600N25N3GBTMA1SP000676404